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CP
이온 밀링(Cross Section Ion Polisher)은 아르곤(Ar) 이온 빔을 이용하여 시료의 미세부위를 식각하여 깨끗한 단면 처리가 가능한 장비로, 고해상도 이미징 및 분석을 위해 고품질의 샘플 표면을 얻는 데에 사용됩니다. 이온 밀링은 거의 모든 재료에서 고품질 단면과 표면을 얻을 수 있는 유일한 방법으로 표면조도를 연마, 폴리싱하는 것 보다 매우 좋은 상태로 식각이 가능하고 FIB보다 넓은 영역을 전처리 할 수 있어 반도체용 세라믹, 배터리 등 다양한 분야에 사용됩니다.
CP 소개
모델명 및 제작사: IB-19520CCP, JEOL
Accelerating voltage: 2 ~ 8kV
Milling speed: 500μm/h
Gas for ion: Argon gas
주요 기능: Air-isolation system, Cooling system

분석 요금
CP - 개당 20만원(부가세 별도)
아연(Zn)이 도금된 강판에서의 예시이며 냉각 방식의 밀링 여부에 따른 결과를 비교하고 있습니다.

왼쪽 이미지는 -100℃ 이하에서 냉각 밀링한 샘플이고, 오른쪽 이미지는 냉각 처리 없이 밀링한 샘플입니다.

냉각하면서 밀링한 샘플에서는 공극(Void)이 보이지 않았으며, 냉각 처리를 하지 않은 샘플에서는 공극이 생성된 것을 볼 수 있습니다.

아연(Zn)이 도금된 강판에서의 예시이며 냉각 방식의 밀링 여부에 따른 결과를 비교하고 있습니다.
왼쪽 이미지는 -100℃ 이하에서 냉각 밀링한 샘플이고, 오른쪽 이미지는 냉각 처리 없이 밀링한 샘플입니다.
냉각하면서 밀링한 샘플에서는 공극(Void)이 보이지 않았으며, 냉각 처리를 하지 않은 샘플에서는 공극이 생성된 것을 볼 수 있습니다.

Principle of ion-milling by CP

In the CP, a shielding plate is mounted on the upper portion of the specimen, and then the portion protruding from the shielding plate is irradiated with a Broad Ar ion beam.

This procedure enables a uniform cross section to be prepared along the edge of the shielding plate.

In order to create such a uniform section, the stage is swung to vary the direction of ion- beam irradiation during milling, reducing streak-like milling marks.

CP에서는 Shielding plate가 샘플의 상부에 장착되고, Shielding plate에서 돌출된 부분이 넓은 아르곤 이온 빔으로 조사됩니다.

이 과정은 Shielding plate 가장자리를 따라 균일한 단면을 준비할 수 있게 합니다.

이러한 균일한 단면을 만들기 위해 밀링 중에 스테이지를 회전시켜 이온 빔 조사 방향을 변화시키며 줄무늬 같은 밀링 자국을 줄입니다.

Principle of ion-milling by CP

In the CP, a shielding plate is mounted on the upper portion of the specimen, and then the portion protruding from the shielding plate is irradiated with a Broad Ar ion beam.

This procedure enables a uniform cross section to be prepared along the edge of the shielding plate.

In order to create such a uniform section, the stage is swung to vary the direction of ion- beam irradiation during milling, reducing streak-like milling marks.


CP에서는 Shielding plate가 샘플의 상부에 장착되고, Shielding plate에서 돌출된 부분이 넓은 아르곤 이온 빔으로 조사됩니다.

이 과정은 Shielding plate 가장자리를 따라 균일한 단면을 준비할 수 있게 합니다.

이러한 균일한 단면을 만들기 위해 밀링 중에 스테이지를 회전시켜 이온 빔 조사 방향을 변화시키며 줄무늬 같은 밀링 자국을 줄입니다.

Easy operability


- Checking the ion-milling position

The milling position can be checked and adjusted by observation through the window of the transfer vessel.

Transfer vessel의 창을 통해 관찰하여 밀링 위치를 확인하고 조정할 수 있습니다.

Easy operability


- Checking the ion-milling position

The milling position can be checked and adjusted by observation through the window of the transfer vessel.

Transfer vessel의 창을 통해 관찰하여 밀링 위치를 확인하고 조정할 수 있습니다.

- Checking the cross section

The cross section can be checked in real time on the CP operation monitor, via the monitoring camera in CP.

You can stop milling or change the milling time according to needs.

단면은 CP의 모니터링 카메라를 통해 CP 작업 모니터에서 실시간으로 확인할 수 있습니다.

필요에 따라 밀링을 중지하거나 밀링 시간을 변경할 수있습니다.

- Checking the cross section

The cross section can be checked in real time on the CP operation monitor, via the monitoring camera in CP.

You can stop milling or change the milling time according to needs.

단면은 CP의 모니터링 카메라를 통해 CP 작업 모니터에서 실시간으로 확인할 수 있습니다.

필요에 따라 밀링을 중지하거나 밀링 시간을 변경할 수있습니다.

면도칼(razor blade)로 절단한 단면과 CP로 밀링한 단면 비교

왼쪽 이미지는 면도칼에 의해 절단된 단면 이미지이고, 오른쪽 이미지는 CP에 의해 밀링된 단면 이미지를 보여줍니다.

CP 처리한 단면은 인장 응력으로 인한 변형과 파손을 억제하여, Cu foil과 Graphite layer 사이의 경계 및 Graphite layer 내의 공극을 관찰할 수 있게 합니다.

CP는 취성 재료의 단면 준비에 특징적입니다.

면도칼(razor blade)로
절단한 단면과 CP로 밀링한 단면 비교

왼쪽 이미지는 면도칼에 의해 절단된 단면 이미지이고, 오른쪽 이미지는 CP에 의해 밀링된 단면 이미지를 보여줍니다.

CP 처리한 단면은 인장 응력으로 인한 변형과 파손을 억제하여, Cu foil과 Graphite layer 사이의 경계 및 Graphite layer 내의 공극을 관찰할 수 있게 합니다.

CP는 취성 재료의 단면 준비에 특징적입니다.

CP application image

사이트 정보

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주소 : 서울특별시 서대문구 이화여대1안길 17, 1층 101호
사업자 등록번호 : 315-22-03686

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